Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

GP1M020A050N

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GP1M020A050N
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 312W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Gate Charge (Qg) (Max.) 54nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3094pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
$0
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
$0
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
$0
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
$0
GP1M016A060F
Global Power Technologies Group
$0
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
$0