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GP1M007A090H

Hersteller:	Global Power Technologies Group
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	GP1M007A090H
Beschreibung:	MOSFET N-CH 900V 7A TO220
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Global Power Technologies Group
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.)	49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1969pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V