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GD5F1GQ4UEYIGR

Hersteller: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: GD5F1GQ4UEYIGR
Beschreibung: SPI NAND FLASH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie FLASH - NAND
Speichergröße 1Gb (128M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad
Taktfrequenz 120MHz
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 8-WSON (6x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 700µs

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