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EPC2016C

Hersteller:	EPC
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	EPC2016C
Beschreibung:	GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	EPC
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	eGaN®
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	+6V, -4V
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	16mOhm @ 11A, 5V
Verlustleistung (Max.)	-
Lieferanten-Gerätepaket	Die
Gate Charge (Qg) (Max.)	4.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	420pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V