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EPC2012C

Hersteller:	EPC
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	EPC2012C
Beschreibung:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	EPC
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	eGaN®
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	+6V, -4V
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Verlustleistung (Max.)	-
Lieferanten-Gerätepaket	Die Outline (4-Solder Bar)
Gate Charge (Qg) (Max.)	1.3nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	140pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V