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UMC5N-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: UMC5N-7
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 4.7kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-353
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms, 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 5859 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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