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DMTH3004LFGQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH3004LFGQ-7
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2370pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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