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DMT68M8LSS-13

Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	DMT68M8LSS-13
Beschreibung:	MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Diodes Incorporated
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	1.9W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.)	31.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2107pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	28.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V