Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMP2007UFG-13 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.5mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.3W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerDI3333-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 85nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4621pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.30 | $0.29 | $0.29 |