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DMP2005UFG-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMP2005UFG-7
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 125nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4670pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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