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DMN65D8LQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN65D8LQ-13
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 370mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.87nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 22pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

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