Hersteller: | Diodes Incorporated |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | DMN60H3D5SK3-13 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 41W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12.6nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 354pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.24 | $0.24 | $0.23 |