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DMN3010LFG-13

Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	DMN3010LFG-13
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Diodes Incorporated
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	8.5mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (Max.)	900mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.)	37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2075pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V