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DMN26D0UFB4-7

Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	DMN26D0UFB4-7
Beschreibung:	MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Diodes Incorporated
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	3Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.)	350mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	X2-DFN1006-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	14.1pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V