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DMN2028UFDF-13

Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	DMN2028UFDF-13
Beschreibung:	MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Diodes Incorporated
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.)	660mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	U-DFN2020-6 (Type F)
Gate Charge (Qg) (Max.)	18nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	907pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V