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DMN2022UNS-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMN2022UNS-13
Beschreibung: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 20.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1870pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.7A (Ta)

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