Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DMG3N60SJ3
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | DMG3N60SJ3 |
| Beschreibung: | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 41W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-251 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 12.6nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 354pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.54 | $0.53 | $0.52 |
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