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CY62167GN18-55BVXI

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY62167GN18-55BVXI
Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie MoBL®
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Asynchronous
Zugriffszeit 55ns
Speichergröße 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-VFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-VFBGA (6x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns

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