Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

CY62147GE18-55BVXIT

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY62147GE18-55BVXIT
Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie MoBL®
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SRAM - Asynchronous
Zugriffszeit 55ns
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-VFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-VFBGA (6x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.80 $4.70 $4.61

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

71V3577S75BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8
71V3577S85BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8
71V3577S85BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8
71V3577S80BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8
71V3577S75BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
$4.8