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NE85633-T1B

Hersteller: CEL
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NE85633-T1B
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller CEL
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 9dB
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer NE85633
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 7GHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 20mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

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