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AS4C8M16S-6BINTR

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: AS4C8M16S-6BINTR
Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM
Zugriffszeit 5ns
Speichergröße 128Mb (8M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 54-TFBGA
Taktfrequenz 166MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 54-TFBGA (8x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns

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