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AS4C16M16S-6BINTR

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: AS4C16M16S-6BINTR
Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM
Zugriffszeit 5.4ns
Speichergröße 256Mb (16M x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 54-TFBGA
Taktfrequenz 166MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 54-TFBGA (8x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns

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