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BFG25AW/X,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFG25AW/X,115
Beschreibung: RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFG25
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 5GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-SO
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6.5mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 500µA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 5V

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