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APTGF50DH60T1G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APTGF50DH60T1G
Beschreibung: IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250W
Konfiguration Asymmetrical Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall SP1
Betriebstemperatur -
Lieferanten-Gerätepaket SP1
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65A
Eingangskapazität (Cies) 2.2nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

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