Hersteller: | Microsemi Corporation |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | APTGF50DH60T1G |
Beschreibung: | IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Microsemi Corporation |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | NPT |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 250W |
Konfiguration | Asymmetrical Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | Yes |
Paket / Fall | SP1 |
Betriebstemperatur | - |
Lieferanten-Gerätepaket | SP1 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 65A |
Eingangskapazität (Cies) | 2.2nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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