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VP2206N3-G

Hersteller:	Microchip Technology
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	VP2206N3-G
Beschreibung:	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Microchip Technology
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	P-Channel
Verpackung	Bulk
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	900mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	740mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	450pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	640mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V